【彭博】-- 在開發對人工智能(AI)市場至關重要的記憶晶片一途上,遭遇過一系列挫折的三星電子開始縮小與競爭對手SK海力士的差距。
據知情人士透露,三星在東山再起的道路上取得了重要進展,包括其高帶寬記憶晶片HBM3通過AI巨頭輝達的認證。知情人士稱,下一代產品HBM3E預計也將在兩到四個月內通過認證。
在此之前,三星經歷了數月的不順,包括開發上的失誤使規模較小的競爭對手SK海力士一躍成為該領域的領跑者。對於這家韓國最大的公司而言,採取這樣的追趕策略不同尋常。從歷史上看,三星憑借其規模和工程專長,在記憶晶片市場一直處於領先地位。由於在HBM領域遭遇挫折,該公司在5月份邁出了極罕見的一步,更換了半導體部門的負責人。
「我們從未見過三星處於這種境地,」 Tirias Research分析師Jim McGregor稱。「整個行業和輝達比任何人都更需要三星,但他們需要三星全力以赴。」
三星不願就具體合作夥伴置評,但表示總體而言,公司正與客戶密切合作,測試工作進展順利。
三星的最新進展可能會幫助它抓住AI產品蓬勃發展帶來的需求。摩根士丹利預計到2027年,HBM市場的規模將從去年的40億美元急速成長至710億美元。三星越快獲得AI加速器領頭羊輝達的青睞,就越能從市場成長中獲益。
原文標題Samsung Begins Closing Gap in Making AI Memory Chips for Nvidia
More stories like this are available on bloomberg.com
©2024 Bloomberg L.P.
沒有留言:
張貼留言